据日本媒体报导，光刻机巨头艾司摩尔 (ASML) 实行副总裁 Christophe Fouquet近日暗示，半导体产业需要 2030 年代斥地数值孔径 0.75 的超高 NA EUV 光刻本事，满足半导体发展。
Christophe Fouquet 指出，自 2010 年代以来 EUV 本事越来越练习，半导体制程微缩至 2020 年前后三年，以向上 50% 幅度前进，但这一速率可能会在 2030 年代放缓不敷使用。
iba娱乐直营网皇冠在线最近一桩虚拟丑闻皇冠热议，一名身份不明赌徒暴走输掉巨额资产。故而，ASML策画年底前发表首台商用 High-NA (NA=0.55) EUV 微影光刻成立 (原型制作)，2025 年量产出货。2025 年驱动，客户就能从数值孔径为 0.33 传统 EUV 多重图案化，切换到数值孔径为 0.55 High-NA EUV 单一图案化，镌汰制程资本，新2会员投注提升产量。
网站加载速度慢皇冠客服中心电话High-NA EUV成立预估会有五大客户：英特尔、台积电、三星、SK海力士、好意思光，可最早使用成立。
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据先容，柯林研发、科磊、HMI 和 JSR 及东京电子等正与 ASML 互助，斥地 High-NA EUV 材料与特用化学品。
世界知名博彩公司据了解，面前EUV光刻机价钱为每套3亿好意思元，因此可瞻望，昔日High-NA EUV 价钱也将荒谬不菲。